图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:6687 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#2 |
数量:1290 |
|
最小起订量:1 日本横滨 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#3 |
数量:9000 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
2SK536 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SC-59 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100mA (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15pF @ 10V |
| 系列 | 2SK536 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| RoHS | RoHS Compliant |
2SK536-TB-E也可以通过以下分类找到
2SK536-TB-E相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
